EPC GaN FET

EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

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2024/1/3 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

EPC2053 EPC氮化镓场效应晶体管鉴定报告

本报告概述了EPC eGaN® FETs产品EPC2053的合格测试结果。报告涵盖了EPC2053、EPC2045、EPC2051和EPC2052的合格测试，这些产品具有相同的电压等级和器件加工。测试包括高温栅极偏置、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级和静电放电特性等。所有测试均符合JEDEC标准，EPC2053通过了所有测试，已批准投入生产。

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2024/6/18 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A，具有较低的栅极电荷，可用于自动驾驶激光雷达

EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管（GaN FETs），为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。

2022-12-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用，可减少损耗

Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商，提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势，广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器，包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外，还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。

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商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介

本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。

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2024/8/27 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

【经验】GaN FET在激光雷达驱动器中的参数设计指导

本文中给出的激光雷达驱动器采用EPC公司的开发板EPC9126进行设计。EPC9126/EPC9126HC采用最优的PCB layout，EPC9126采用GaN FET—EPC2016C，在极短的4ns脉冲宽度，给三接面激光产生35A脉冲。EPC9126HC为大电流演示系统，在 8ns脉冲宽度可产生65A脉冲。文中给出了具体设计的参数指导。

2020-06-13 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【元件】EPC新推出80V GaN FET EPC2619，导通电阻仅4mΩ，专为电机驱动应用设计

2022年11月15日，EPC宣布推出80V、4mOhm的GaN FET EPC2619。在新生代的eGaN器件领域内，这是一款领先产品，其功率密度是EPC上一代产品的两倍。EPC2619的RDS(on)仅为4mOhms，尺寸仅有1.5mmx2.5mm。

2022-11-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓（GaN）FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异，包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外，文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤，包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后，文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时，需要考虑的布局和设计折衷方案。

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February 2024 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达，具备小封装，开关频率可达100MHz

某用户想研制一款多线激光雷达，主要应用于交通领域，想找一款效应晶体管用来驱动激光器，经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221，它具备小封装，尺寸仅为1.35x1.35mm，开关频率可达100MHz。

2023-02-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【应用】EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2024用于1/4砖电源模块，峰值效率高达97%以上

本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2024应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势，其具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz；EPC2024用于二次侧同步整流，峰值效率高达97以上%。

2021-07-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介

本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。

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